| 发明名称 | 一种基于中间能带的InSb量子点多色红外探测器 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种基于中间能带的InSb量子点多色红外探测器，所述红外探测器由下到上依次包括：锑化镓（GaSb）或砷化铟(InAs)材料的衬底、InAs材料的底接触层、量子点层和InAs材料的顶接触层，其中，所述量子点层包括一层或多层的锑化铟（InSb）量子点层以及相应的InAs间隔层，每层InSb量子点层的上下均设置有InAs间隔层；所述InSb量子点层为不掺杂或P型掺杂。根据InSb量子点的掺杂与否以及间隔层材料的选择，本发明的多色红外探测器可实现基于半导体带间跃迁的中波/短波、长波/短波乃至长波/中波/短波的多色红外探测。 | ||
| 申请公布号 | CN102790100B | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201210290330.X | 申请日期 | 2012.08.15 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 王禄;陈弘;王文新;贾海强 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人 | 王艺 |
| 主权项 | 一种基于中间能带的InSb量子点多色红外探测器，其特征在于，所述红外探测器由下到上依次包括：锑化镓(GaSb)或砷化铟(InAs)材料的衬底、InAs材料的底接触层、量子点层和InAs材料的顶接触层，其中，所述量子点层包括一层或多层的锑化铟(InSb)量子点层以及相应的InAs间隔层，每层InSb量子点层的上下均设置有InAs间隔层；所述InSb量子点层为不掺杂或P型掺杂；对于所述InSb量子点层为P型掺杂的红外探测器，通过向InSb量子点中进行P型掺杂形成中间能带，利用InAs间隔层中价带与量子点中间能带之间的光跃迁实现基于带间跃迁的长波红外探测，同时InAs间隔层亦能够完成在短波红外波段上的光响应。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街八号 | ||