一种发光元件的制备方法

摘要

本发明提出了一种发光元件的制备方法，生长氮化镓于已镀制AlN的平片或图形衬底上，再进行H₂氛围退火处理或H₂氛围与NH₃氛围组合式热处理藉此改变及缓冲材料间应力的问题，进而改善此应力所造成的外延片翘曲，提高发光元件的外延质量，提升发光元件的发光效率。

主权项

一种发光元件的制备方法，包括，1）提供衬底；2）利用PVD法在所述衬底表面沉积AlN层；3）通入金属源和NH₃，利用MOCVD法在所述AlN层表面沉积Al_xGa_1‑xN（0≤x<1）层；4）对所述Al_xGa_1‑xN层进行退火处理，形成不规则状形貌Al_xGa_1‑xN层或岛状形貌Al_xGa_1‑xN层，具体为：关闭金属源和NH₃，保持H₂持续通入，升高腔室温度，在H₂氛围中对所述Al_xGa_1‑xN层进行退火处理；后持续升高温度并在H₂通入的条件下再通入NH₃，在NH₃/H₂混合氛围中继续对所述Al_xGa_1‑xN层进行退火处理；5）在所述退火后的Al_xGa_1‑xN层表面沉积GaN层；6）在所述GaN层表面沉积n型层、发光层和P型层。