| 发明名称 | 一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法，所述方法是首先在锗衬底表面沉积Ni<sub>1-x</sub>Ti<sub>x</sub>合金层，其中的0.1≤x≤0.6；然后进行快速退火处理：以30～50℃/秒的升温速率升温至300～500℃，保温20～120秒后，在115～200秒时间内冷却至室温；采用化学腐蚀法选择性去除最外层：NiTiGe混合合金层，即得到位于锗衬底表面的外延NiGe材料。本发明方法具有工艺简单，易于工业化实施优点，所生成的NiGe材料连续、均一、平整，可满足作为晶体管器件接触材料的应用要求，并有利于提高晶体管器件的电性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104392915A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201410605211.8 | 申请日期 | 2014.10.30 |
| 申请人 | 上海工程技术大学 | 发明人 | 平云霞;侯春雷 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人 | 何葆芳 |
| 主权项 | 一种使用NiTi合金外延生长NiGe材料的方法，其特征在于：首先在锗衬底表面沉积Ni<sub>1‑x</sub>Ti<sub>x</sub>合金层，其中的0.1≤x≤0.6；然后进行快速退火处理：以30～50℃/秒的升温速率升温至300～500℃，保温20～120秒后，在115～200秒时间内冷却至室温；采用化学腐蚀法选择性去除最外层：NiTiGe混合合金层，即得到位于锗衬底表面的外延NiGe材料。 | ||
| 地址 | 201620 上海市松江区龙腾路333号 | ||