压阻式微熔高温压力传感器及其制造方法

摘要

本发明属于压阻式压力传感器制造工艺技术领域，具体涉及一种压阻式微熔高温压力传感器及其制造方法。为了提供一种能够在超过200℃高温下有效工作的传感器，本发明在弹性膜平面敏感区域涂覆玻璃浆料，并将SOI芯片粘贴在玻璃浆料上；将粘贴好SOI芯片的壳体组件放入高温烧结炉内，预热后升温微熔，微溶后随炉自然冷却，取出SOI芯片的壳体组件；将陶瓷厚膜电路板通过螺钉固定在SOI芯片外，然后将SOI芯片电极和陶瓷厚膜电路板电极连接，将陶瓷厚膜电路板相对应的电极点焊，引出外接镀金铜箔引线，然后将镀金铜箔引线和耐火高温线用可伐管夹紧方式连接在一起，SOI芯片工艺制作的惠思顿电桥是绝缘层隔离，工作温度可提高到600℃以上。

主权项

压阻式微熔高温压力传感器，其特征在于：包括电缆线(8)以及一端设置有弹性膜(2)的基座(1)，基座(1)的另一端开设有凹型管腔，弹性膜(2)通过凹型管腔与所测介质接触，弹性膜(2)上固定有SOI芯片(3)，SOI芯片(3)和弹性膜(2)间涂覆有玻璃微熔浆料(4)，SOI芯片(3)外设置有固定在基座(1)上的陶瓷厚膜电路板(5)，基座(1)上固定有SOI芯片(3)的一端激光焊接在具有空腔的传感器保护帽(9)的一端，SOI芯片(3)置于传感器保护帽(9)的空腔中，传感器保护帽(9)的另一端具有四爪结构(11)，电缆线(8)从传感器保护帽(9)具有四爪结构(11)的一端进入到空腔中，SOI芯片(3)和电缆线(8)均与陶瓷厚膜电路板(5)连接。