发明名称 树脂密封用粘合带及树脂密封型半导体装置的制造方法
摘要 本发明的目的是提供能够有效防止树脂密封时的树脂漏出的树脂密封用粘合带及树脂密封型半导体装置的制造方法。其解决方法包括:用于制造树脂密封型半导体装置的树脂密封用粘合带,其具有基材层和在该基材层上层叠的粘合剂层,且所述基材层与粘合剂层的总膜厚为25~40μm;以及,树脂密封型半导体装置的制造方法,包括下述工序:将该粘合带贴附于引线框的至少一个面,在所述引线框上搭载半导体芯片,通过密封树脂密封该半导体芯片侧,在密封后剥离所述粘合带。
申请公布号 CN102061136B 申请公布日期 2015.03.04
申请号 CN201010544011.8 申请日期 2010.11.11
申请人 日东电工株式会社 发明人 柳雄一朗;近藤广行;星野晋史;下川大辅
分类号 C09J7/02(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 C09J7/02(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种用于制造树脂密封型半导体装置的树脂密封用粘合带,其特征在于,所述树脂密封用粘合带具有基材层、在该基材层上层叠的硅酮系粘合剂构成的粘合剂层,和与粘合剂层接触的剥离片,所述基材层与粘合剂层的总膜厚为25~40μm,所述剥离片在剥离角度为90±15°时的剥离强度为1.0N/50mm宽度以下、在剥离角度为120±15°时的剥离强度为1.0N/50mm宽度以下、在剥离角度为150±15°时的剥离强度为0.8N/50mm宽度以下、或者在剥离角度为180+0°~180‑15°时的剥离强度为0.8N/50mm宽度以下,以及所述基材层的线性热膨胀系数是1.0×10<sup>‑5</sup>~3.0×10<sup>‑5</sup>/K,所述粘合带对引线框架的剥离角度为180°时粘合力为0.01N/19mm宽度以上,且为10.0N/19mm宽度以下。
地址 日本大阪府