发明名称 |
硅表面微/纳米减反射结构的制备方法及应用 |
摘要 |
一种太阳能电池应用技术领域的硅表面微/纳米减反射结构的制备方法及应用,通过具有微/纳米图形的PDMS印章将硅烷偶联剂压印在硅片表面,进而在硅片表面形成具有对应微/纳米图形的引发剂膜层,然后通过表面引发原子转移自由基聚合生长高分子使其形成具有微/纳米结构的高分子薄膜,最后经刻蚀并清除残余的高分子薄膜后,在硅表面得到微/纳米陷光结构。采用本发明制备的微结构膜层作为太阳能电池减反层可有效降低宽谱宽角范围内表面反射率,为提高硅基太阳能电池性能提供新技术。 |
申请公布号 |
CN104393102A |
申请公布日期 |
2015.03.04 |
申请号 |
CN201410548604.X |
申请日期 |
2014.10.16 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
郭守武;王艳梅;吴海霞 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
上海交达专利事务所 31201 |
代理人 |
王毓理;王锡麟 |
主权项 |
一种硅表面微/纳米减反射结构的制备方法,其特征在于,通过具有微/纳米图形的PDMS印章将硅烷偶联剂压印在硅片表面,进而在硅片表面形成具有对应微/纳米图形的引发剂膜层,然后通过表面引发原子转移自由基聚合生长高分子使其形成具有微/纳米结构的高分子薄膜,最后经刻蚀并清除残余的高分子薄膜后,在硅表面得到微/纳米陷光结构。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路800号 |