发明名称 一种基于磁控电抗器的快速励磁及去磁装置
摘要 一种基于磁控电抗器的快速励磁及去磁装置,属于动态无功功率补偿技术领域。包括电力系统、MCR本体、快速励磁电路3、快速去磁电路4;MCR本体的上下两输入输出端接入电力系统1,MCR本体中包含两个铁芯,两个铁芯上分别绕有线圈L<sub>1</sub>和L<sub>2</sub>、L<sub>3</sub>和L<sub>4</sub>,四组线圈为交叉并联结构;从每个铁芯上的上下两组线圈中间引出抽头,同一铁芯两抽头之间接有SCR半控器件。在两铁芯上的四组线圈的交叉连接点之间接有快速励磁电路及快速去磁电路。优点在于:保留了MCR的无功功率连续可调、工作安全稳定,还显著加快了MCR的响应速度,使得MCR从空载到额定容量和从额定容量到空载的响应速度都达到一个工频周期内。
申请公布号 CN102904263B 申请公布日期 2015.03.04
申请号 CN201210376352.8 申请日期 2012.09.29
申请人 华北电力大学 发明人 尹忠东;刘海鹏;赵士硕;李和明
分类号 H02J3/18(2006.01)I;H02P13/00(2006.01)I 主分类号 H02J3/18(2006.01)I
代理机构 北京华谊知识产权代理有限公司 11207 代理人 刘月娥
主权项 一种基于磁控电抗器的快速励磁及去磁装置,其特征在于,包括电力系统(1),MCR本体(2),快速励磁电路(3),快速去磁电路(4);MCR本体(2)的上下两输入输出端接入电力系统(1),MCR本体(2)中包含两个铁芯,两个铁芯上分别绕有线圈L<sub>1</sub>和L<sub>2</sub>、L<sub>3</sub>和L<sub>4</sub>,四组线圈为交叉并联结构;从每个铁芯上的上下两组线圈中间引出抽头,同一铁芯两抽头之间接有SCR半控器件;在两铁芯上的四组线圈的交叉连接点之间接有快速励磁电路(3)及快速去磁电路(4);所述的快速励磁电路由升压斩波电路(5)和大容量电容和IGBT构成;所述的快速去磁电路由IGBT和大功率高阻值电阻构成;所述的快速励磁电路(3)及快速去磁电路(4)中:续流二极管D<sub>1</sub>串联IGBT<sub>2</sub>全控器件构成续流支路,并在IGBT<sub>2</sub>两端反并联起保护作用的二极管D<sub>2</sub>,将续流二极管D<sub>1</sub>和IGBT<sub>2</sub>和起保护作用的二极管D<sub>2</sub>构成的续流支路接在MCR本体(2)的两铁芯上的线圈交叉点e、f之间;快速励磁电路(3)中升压斩波电路(5)的输出端并接大容量励磁电容C两端,再串联IGBT<sub>1</sub>和二极管D<sub>3</sub>后,将其整体并接在续流二极管D<sub>1</sub>两端,此电路中,在IGBT<sub>1</sub>两端反并联起保护作用的二极管D<sub>4</sub>;快速去磁电路由IGBT<sub>3</sub>及反并联在IGBT<sub>3</sub>两端起保护作用的二极管D<sub>4</sub>和起阻止电流反向流动作用的二极管D<sub>5</sub>和大功率高阻值电路R串联后,整体并接在续流支路中IGBT<sub>2</sub>的两端;当需要将MCR应用在不同等级电压系统中进行无功功率补偿时,只需要控制升压斩波电路中的升压比就能实现励磁电压的改变;励磁电容和去磁电阻也根据实际需要更换不同的容量;在磁控电抗器运行过程中,所有IGBT和可控硅都是由DSP来控制的,保证了控制的精确性。
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