| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de fabrication d'une jonction PIN en arête (20, 21) en matériau semi-conducteur. Selon l'invention, on réalise un choix judicieux de définition de masques durs et d'enchaînement de formation des masques de résine pour l'implantation (dopage) et la gravure qui permet d'utiliser la technique de photo-lithographie usuelle malgré sa faible précision d'alignement (± 100nm) des masques par rapport aux zones situées en dessous. Grâce au procédé selon l'invention, on obtient, à moindre coût et en un temps de réalisation plus faible par rapport à l'état de l'art, la formation d'une jonction PIN en arête, avec des zones dopées précisément espacées du bord de l'arête.</p> |
