一种在半导体器件中形成n型埋层的方法

摘要

本发明涉及半导体材料及器件、集成电路等微电子与固体电子学领域的技术和工艺，主要是一种在半导体器件中形成n型埋层的方法，其特征步骤在于：a.半导体器件结构包括第一导电类型半导体衬底，第一导电类型半导体衬底包含正面和背面，所述正面包括半导体器件的第一半导体结构；b.对a步骤中所述第一导电类型半导体衬底的背面进行高能离子注入，注入深度为d；c.完成b步骤之后，对经过高能离子注入的半导体器件进行激活，在半导体器件内形成厚度为h的n型埋层；d.在第一导电类型半导体衬底的背面形成半导体器件的第二半导体结构，形成完整的半导体器件结构。本发明提出了一种在半导体器件中形成n型埋层的方法，采用高能离子注入的方式，工艺简单，实用性和可控性强。

主权项

一种在半导体器件中形成n型埋层（140）的方法，其特征步骤在于：a.半导体器件结构包括第一导电类型半导体衬底（110），第一导电类型半导体衬底（110）包含正面（120）和背面（130），所述正面（120）包括半导体器件的第一半导体结构（220）；b.对a步骤中所述第一导电类型半导体衬底（110）的背面（130）进行高能离子注入，注入深度为d；所述高能离子注入能量为200KeV~10MeV；所述高能离子注入的离子为氢离子、氦离子；所述深度d为10nm~50μm；c.完成b步骤之后，对经过高能离子注入的半导体器件进行激活，在半导体器件内形成厚度为h的n型埋层（140）；所述厚度h为100nm~50μm；d.在第一导电类型半导体衬底（110）的背面（130）形成半导体器件的第二半导体结构（330），形成完整的半导体器件结构。