| 发明名称 | 一种基于可控硅的静电放电保护电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及集成电路芯片静电放电保护技术领域，尤其涉及一种基于可控硅作为泄放器件的ESD保护电路。该ESD保护电路包括泄放器件可控硅，以及PMOS晶体管M<sub>P</sub>；其中，所述PMOS晶体管M<sub>P</sub>的源极与正向偏置的二极管D<sub>2</sub>的n端相连，所述PMOS晶体管M<sub>P</sub>的漏极接地，所述PMOS晶体管M<sub>P</sub>的栅极与电源管脚V<sub>DD</sub>相连；其中，二极管D<sub>1</sub>、所述可控硅的寄生三极管Q<sub>pnp</sub>的发射极-基极正偏二极管、所述可控硅的寄生电阻R<sub>n</sub>、所述二极管D<sub>2</sub>以及所述PMOS晶体管M<sub>P</sub>构成所述直流触发模块。本发明提供的直流触发基于可控硅的ESD保护电路，在芯片正常工作时有效的减少了漏电流；在ESD冲击来临时，可控硅作为泄放器件仍能有效触发。 | ||
| 申请公布号 | CN104392989A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201410638547.4 | 申请日期 | 2014.11.06 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 王源;郭海兵;陆光易;张立忠;贾嵩;张兴 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H02H9/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 薛晨光 |
| 主权项 | 一种基于可控硅的静电放电保护电路，包括泄放器件可控硅，其特征在于，还包括PMOS晶体管M<sub>P</sub>；其中，所述PMOS晶体管M<sub>P</sub>的源极与正向偏置的二极管D<sub>2</sub>的n端相连，所述PMOS晶体管M<sub>P</sub>的漏极接地，所述PMOS晶体管M<sub>P</sub>的栅极与电源管脚V<sub>DD</sub>相连；其中，二极管D<sub>1</sub>、所述可控硅的寄生三极管Q<sub>pnp</sub>的发射极‑基极正偏二极管、所述可控硅的寄生电阻R<sub>n</sub>、所述二极管D<sub>2</sub>以及所述PMOS晶体管M<sub>P</sub>构成所述直流触发模块。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||