一种阵列基板及其制备方法、显示装置

摘要

本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示领域，解决了现有技术采用一道掩膜刻蚀形成第一过孔和第二过孔导致第一过孔长时间过刻，使薄膜晶体管失效的问题。一种阵列基板，包括形成在衬底上的第一薄膜晶体管和第一电极，第一薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层上形成第一过孔，刻蚀阻挡层和栅绝缘层在对应第一电极的位置形成第二过孔，第一过孔的最大孔径不大于第二过孔的最小孔径，在第一过孔的最大孔径小于等于8μm，第二过孔的最小孔径与第一过孔的最大孔径的差不小于2μm；在第一过孔的最大孔径大于8μm且小于等于14μm，第二过孔的最小孔径与第一过孔的最大孔径的比值不小于1.3。

主权项

一种阵列基板，包括：衬底以及形成在所述衬底上的第一薄膜晶体管和第一电极，所述第一薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源极和漏极，其中，所述刻蚀阻挡层上形成有第一过孔，所述源极和所述漏极通过所述第一过孔与所述有源层电连接；所述刻蚀阻挡层和所述栅绝缘层覆盖所述第一电极，所述刻蚀阻挡层和所述栅绝缘层在对应第一电极的位置处形成有第二过孔，其特征在于，所述第一过孔的最大孔径不大于所述第二过孔的最小孔径，其中，在所述第一过孔的最大孔径小于等于8μm的情况下，所述第二过孔的最小孔径与所述第一过孔的最大孔径的差不小于2μm；在所述第一过孔的最大孔径大于8μm且小于等于14μm的情况下，所述第二过孔的最小孔径与所述第一过孔的最大孔径的比值不小于1.3。