| 发明名称 | 一种AlN外延薄膜生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种AlN外延薄膜生长方法，所述方法包括以下步骤：S1、衬底烘烤；S2、低温沉积AlN，形成成核层；S3、升温退火；S4、以高氨气和金属有机源的摩尔流量比(V/III比)生长AlN；S5、以低V/III比生长AlN；S6、依次、多次重复执行步骤S4、S5。本发明提供的方法是通过采用高低V/III比，交替生长的多层结构来实现低位错密度、无裂纹和表面平整的AlN外延薄膜的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN104392909A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201410542286.6 | 申请日期 | 2014.10.14 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 许福军;沈波;秦志新;王嘉铭;张立胜;何晨光;杨志坚 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 薛晨光 |
| 主权项 | 一种AlN外延薄膜生长方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、衬底烘烤；S2、低温沉积AlN，形成成核层；S3、升温退火；S4、以高氨气和金属有机源的摩尔流量比生长AlN；S5、以低氨气和金属有机源的摩尔流量比生长AlN；S6、依次、多次重复执行步骤S4、S5。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||