| 发明名称 | 包括改进的磷属元素化物半导体膜的光伏器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明利用一种处理，其包括在磷属元素化物半导体膜的表面上形成富含磷属元素区域的蚀刻处理。在许多实践方式中所述区域很薄，在很多实施方式中经常只有大约2至3nm厚。以前的研究者把所述区域留在原位而没有认识到它存在的事实和/或它的存在(如果已知)可损害所生成的器件的电子性能。本发明认识到，形成和除去所述区域有利地使所述磷属元素化物膜表面高度光滑并且电子缺陷减少。所述表面充分制备以供进一步器件制造。 | ||
| 申请公布号 | CN104396021A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201380007599.5 | 申请日期 | 2013.01.30 |
| 申请人 | 陶氏环球技术有限责任公司;加利福尼亚技术学院 | 发明人 | G·M·金伯尔;H·A·阿特瓦特;N·S·刘易斯;J·P·伯斯科;R·克里斯廷-利格曼菲斯特 |
| 分类号 | H01L31/032(2006.01)I;H01L31/075(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/032(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 吴亦华 |
| 主权项 | 制造光伏器件的方法，所述方法包括以下步骤：a.提供包含至少一种磷属元素化物半导体的磷属元素化物半导体膜，所述膜具有表面；b.处理所述膜，所述处理包括以下步骤：i.将所述膜与第一蚀刻组合物以在所述膜的表面上有效形成富含磷属元素的区域的方式接触；和ii.除去至少一部分所述富含磷属元素区域。 | ||
| 地址 | 美国密歇根州 | ||