一种控制单晶黑边的生产工艺方法

摘要

本发明涉及一种控制单晶黑边的生产工艺方法，包括硅料分检工序、硅料清洗工序、硅成炉料配制工序、拉晶工序和冷却工序，其特征在于：硅料的电阻率大于0.5Ω*cm，寿命高于2μS，碳含量小于2e17atom/cc；硅料的直径大于0.5mm，在拉晶工序中的放肩操作步骤中，放的肩直径达到40-50mm后分多次匀速将氮气流速增大到3-4L/min；惰性气体流速为30-40L/min。本发明的有益效果是：本发明从硅料分检为源头开始，一直到拉晶过程结束，针对黑边片效率低为突破口，选择行之有效的硅料、清洗工艺，在拉晶过程中采用微氮技术，本发明的实施能有效抑制黑边片的产生，提高了单晶的质量。

主权项

一种控制单晶黑边的生产工艺方法，包括硅料分检工序、硅料清洗工序、硅成炉料配制工序、拉晶工序和冷却工序，其特征在于：所述的硅料分检工序中，硅料的电阻率大于0.5Ω*cm，寿命高于2μS，碳含量小于2e17atom/cc；所述的硅成炉料配制工序中，硅料的直径大于0.5mm；在拉晶工序中，单晶炉内的石墨热场部分需使用高纯石墨，高纯石墨灰分要求在15ppm以下；在拉晶工序中的放肩操作步骤中，籽晶的转速为6‑9r/min，埚转的转速为6‑9r/min，坩埚上升速度0.05‑0.15mm/min；放的肩直径达到40‑50mm后分多次匀速将氮气流速增大到3‑4L/min；惰性气体流速为30‑40L/min；所述的拉晶工序中的转肩步骤、等径步骤和收尾步骤中，氮气流速为3‑4L/min；惰性气体流速为30‑40L/min。