发明名称 芯片外露的半导体器件及其生产方法
摘要 本发明一般涉及一种半导体器件,更确切的说,本发明涉及一种芯片外露的无引脚半导体器件及其生产方法。本发明提出了一种基于缩小封装体尺寸需求的无引脚半导体器件,将构成芯片漏极电极的背面金属层直接暴露于用于塑封芯片的塑封体的外部的,其背面金属层作为焊盘直接用于组装焊接至印刷电路板(PCB)上,同时还作为芯片的导热途径。其芯片与背面金属层、栅极焊盘、源极焊盘之间的导电路径短,自感系数及封装电阻低,能提供卓越的电性能和散热性能。
申请公布号 CN102403236B 申请公布日期 2015.03.04
申请号 CN201010282218.2 申请日期 2010.09.07
申请人 万国半导体(开曼)股份有限公司 发明人 龚玉平;薛彦迅
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 上海申新律师事务所 31272 代理人 竺路玲
主权项 一种芯片外露的半导体器件的生产方法,其特征在于,包括以下步骤:于一包含多颗芯片的晶圆的正面进行电镀形成芯片上的电镀区;于所述晶圆背面进行研磨用于减薄晶圆的厚度;在减薄后的晶圆的背面沉积一层金属层;于所述电镀区表面涂覆一层具粘合性能的导电银浆或焊锡膏的导电材料;在所述金属层表面粘贴一层切割膜;切割所述晶圆及金属层用于将芯片从晶圆上分离并形成位于芯片背面的背面金属层;提供一种引线框架,利用所述导电材料将所述芯片粘贴至与之相应的引线框架的正面的基岛区;粘合一层胶带至引线框架的正面;从引线框架的背面注入塑封料;移除胶带;切割引线框架和塑封料以形成多颗以塑封体塑封包覆所述芯片的半导体器件。
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