发明名称 |
扩展动态范围的三晶体管图像传感器像素结构 |
摘要 |
本发明公开了一种扩展动态范围的三晶体管图像传感器像素结构,包括置于半导体基体中的光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管,还包括晶体管电容器件,晶体管电容器件的栅极与光电二极管的正极相连接,其源漏极外接可控电势;弱光照射时,晶体管电容不起作用,像素的感光灵敏度高;强光照射时,晶体管电容添加到光电二极管中,像素的感光灵敏度降低。因此,本发明压缩了强光照射像素的感光灵敏度,扩展了像素的动态范围。 |
申请公布号 |
CN104394338A |
申请公布日期 |
2015.03.04 |
申请号 |
CN201410725887.0 |
申请日期 |
2014.12.03 |
申请人 |
北京思比科微电子技术股份有限公司 |
发明人 |
郭同辉;旷章曲 |
分类号 |
H04N5/374(2011.01)I;H04N5/355(2011.01)I;H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H04N5/374(2011.01)I |
代理机构 |
北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 |
代理人 |
郑立明;赵镇勇 |
主权项 |
一种扩展动态范围的三晶体管图像传感器像素结构,包括置于半导体基体中的光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管,其特征在于,还包括晶体管电容器件,所述晶体管电容器件的栅极与所述光电二极管的正极相连,所述晶体管电容器件的源漏极相互连接在一起,并且外接可控电势。 |
地址 |
100085 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室 |