发明名称 扩展动态范围的三晶体管图像传感器像素结构
摘要 本发明公开了一种扩展动态范围的三晶体管图像传感器像素结构,包括置于半导体基体中的光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管,还包括晶体管电容器件,晶体管电容器件的栅极与光电二极管的正极相连接,其源漏极外接可控电势;弱光照射时,晶体管电容不起作用,像素的感光灵敏度高;强光照射时,晶体管电容添加到光电二极管中,像素的感光灵敏度降低。因此,本发明压缩了强光照射像素的感光灵敏度,扩展了像素的动态范围。
申请公布号 CN104394338A 申请公布日期 2015.03.04
申请号 CN201410725887.0 申请日期 2014.12.03
申请人 北京思比科微电子技术股份有限公司 发明人 郭同辉;旷章曲
分类号 H04N5/374(2011.01)I;H04N5/355(2011.01)I;H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H04N5/374(2011.01)I
代理机构 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人 郑立明;赵镇勇
主权项 一种扩展动态范围的三晶体管图像传感器像素结构,包括置于半导体基体中的光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管,其特征在于,还包括晶体管电容器件,所述晶体管电容器件的栅极与所述光电二极管的正极相连,所述晶体管电容器件的源漏极相互连接在一起,并且外接可控电势。
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