| 发明名称 | 深PN结的形成方法与具有该深PN结的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本申请提供了一种深PN结的形成方法与具有该深PN结的半导体器件。该形成方法包括：步骤S1，在硅衬底上外延生长形成外延层，硅衬底中的杂质离子与外延层中的杂质离子为反型离子；以及步骤S2，将外延层中的杂质离子向硅衬底中进行推进，形成推进层，推进层与外延层形成深PN结。该PN结的形成方法保证了同一批次的硅圆片内同一深度处杂质离子浓度的一致性，以及不同批次的硅圆片的掺杂浓度和结深的一致性；此外，该方法避免了现有技术中将P型或N型固态源基片与硅圆片需要分离造成的掺杂物残留的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN104392907A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201410602348.8 | 申请日期 | 2014.10.31 |
| 申请人 | 丽晶美能（北京）电子技术有限公司 | 发明人 | 义夫 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 董文倩;吴贵明 |
| 主权项 | 一种深PN结的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：步骤S1，在硅衬底上外延生长形成外延层，所述硅衬底中的杂质离子与所述外延层中的杂质离子为反型离子；以及步骤S2，将所述外延中的杂质离子向所述硅衬底中进行推进，形成推进层，所述推进层与所述外延层形成所述深PN结。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号方兴大厦1010室 | ||