发明名称 |
一种基于电磁转矩变化的导体中缺陷的无损检测方法 |
摘要 |
本发明涉及一种基于电磁转矩变化的导体中缺陷的无损检测方法,属于电力、电子工业、冶金工业、半导体材料、石油能源技术领域。本方法首先在圆柱形永磁体的一侧设置转矩传感器,驱动圆柱形永磁体旋转,使不含缺陷的导体与旋转的圆柱形永磁体靠近,测得圆柱形永磁体的旋转角速度随时间变化的参考曲线,再测得带有缺陷的永磁体的旋转角速度随时间变化的多个标定曲线,使永磁体靠近被测导体,得到测量曲线,将测量曲线与标定曲线进行比较,得到被测导体的缺陷尺寸。本发明方法适用于线材、管材以及薄板类的导体,且被测导体无须运动,简化了测量条件、测量过程和测量成本,简化了测量设备,易于实现自动化和小型化,可以应用到更多的领域和环境中。 |
申请公布号 |
CN102818838B |
申请公布日期 |
2015.03.04 |
申请号 |
CN201210291201.2 |
申请日期 |
2012.08.15 |
申请人 |
中国科学院研究生院 |
发明人 |
王晓东 |
分类号 |
G01N27/82(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/82(2006.01)I |
代理机构 |
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 |
代理人 |
罗文群 |
主权项 |
一种基于电磁转矩变化的导体中缺陷的无损检测方法,其特征在于该无损检测方法包括以下步骤:(1)在一个沿径向磁化、厚度为w的圆柱形永磁体的一侧设置一个转矩传感器;(2)驱动圆柱形永磁体旋转,当圆柱形永磁体达到一个初始速度时撤除驱动力,使圆柱形永磁体在惯性作用下继续转动;(3)使不含缺陷的导体与旋转的圆柱形永磁体靠近,间隔距离为d,通过转矩传感器测得圆柱形永磁体的旋转角速度随时间变化的参考曲线,所述的缺陷不导电; (4)在导体上钻得直径不等且间隔距离大于圆柱形永磁体厚度w的多个小孔,将步骤(2)的旋转圆柱形永磁体依次靠近导体上多个直径不等的小孔,得到圆柱形永磁体的旋转角速度随时间变化的多个标定曲线;(5)将步骤(2)的旋转圆柱形永磁体靠近被测导体,得到一条圆柱形永磁体的旋转角速度随时间变化的测量曲线;(6)将步骤(5)的测量曲线与步骤(4)的标定曲线进行比较,若测量曲线与一条标定曲线相重合,则被测导体的缺陷尺寸等于与该标定曲线相对应的小孔尺寸,若测量曲线位于相邻两条标定曲线之间,则被测导体的缺陷尺寸介于与该相邻两条标定曲线相对应的小孔尺寸之间。 |
地址 |
100049 北京市石景山区玉泉路19号(甲) |