氮化镓基直角漏场板高电子迁移率晶体管

摘要

本发明公开了一种氮化镓基直角漏场板高电子迁移率晶体管，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、绝缘介质层(7)、栅极(8)、钝化层(9)和保护层(12)。钝化层(9)内刻有漏槽(10)，钝化层(9)与保护层(12)之间淀积有直角漏场板(11)，直角漏场板(11)靠近肖特基漏极一侧边缘与漏槽(10)靠近肖特基漏极一侧边缘对齐，该直角漏场板(11)与肖特基漏极(5)电气连接，且下端完全填充在漏槽(10)内。本发明具有制作工艺简单、反向特性好以及成品率高的优点，可作为开关器件。

主权项

一种氮化镓基直角漏场板高电子迁移率晶体管，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、绝缘介质层(7)、钝化层(9)和保护层(12)，势垒层的上面淀积有源极(4)与肖特基漏极(5)，势垒层的侧面刻有台面(6)，且台面深度大于势垒层厚度，绝缘介质层(7)上淀积有栅极(8)，其特征在于：钝化层(9)内刻有漏槽(10)；钝化层(9)与保护层(12)之间淀积有直角漏场板(11)；所述直角漏场板(11)与肖特基漏极(5)电气连接，且下端完全填充在漏槽(10)内，该直角漏场板(11)靠近肖特基漏极一侧边缘与漏槽(10)靠近肖特基漏极一侧边缘对齐。