一种维持电压可调的静电放电保护电路

摘要

本发明涉及集成电路芯片静电放电保护电路领域，尤其涉及一种利用瞬态触发的、维持电压可调的ESD保护电路。该维持电压可调的静电放电保护电路包括瞬态触发模块以及泄放器件可控硅，所述维持电压可调的静电放电保护电路还包括，维持电压调节模块；所述维持电压调节模块，与所述可控硅相连，包括：电阻R₂、电容C₂、反相器INV₁、以及PMOS晶体管M_p1和M_P2。本文提供的维持电压可调的静电放电保护电路，能够保证芯片在非工作状态时，维持电压大大低于电源电压，以更充分地泄放静电电荷；芯片在工作状态时，维持电压大于电源电压，以避免闩锁效应。

主权项

一种维持电压可调的静电放电保护电路，包括瞬态触发模块以及泄放器件可控硅，其特征在于，所述维持电压可调的静电放电保护电路还包括，维持电压调节模块，用以调节维持电压；所述维持电压调节模块，与所述可控硅相连，包括：电阻R₂、电容C₂、反相器INV₁、以及PMOS晶体管M_p1和M_P2；其中，所述电阻R₂的一端与电源管脚V_DD相连，电阻R₂的另一端与所述电容C₂的上极板相连；所述电容C₂的下极板接地；所述反相器INV₁的输入端与所述电容C₂的上极板相连，所述反相器INV₁的输出端与所述PMOS晶体管M_p1和M_p2的栅极相连；所述PMOS晶体管M_p1的源极与所述电源管脚V_DD相连，所述PMOS晶体管M_p1的漏极与所述PMOS晶体管M_p2的源极相连；所述PMOS晶体管M_p2的漏极与所述瞬态触发模块中NMOS晶体管M_n1的漏极相连。