| 发明名称 | 一种高电源抑制比LDO电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高电源抑制比LDO电路，其特征在于采用电源噪声前馈通路结构和适用于该前馈通路结构的反向嵌套密勒补偿结构。本发明采用了前馈通路结构和反向嵌套密勒补偿结构，通过引入电源纹波分量，通过处理叠加到功率管栅端，实现较好的电源抑制比性能，且结构简单，成本相对较低。 | ||
| 申请公布号 | CN104391533A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201410637701.6 | 申请日期 | 2014.11.12 |
| 申请人 | 记忆科技（深圳）有限公司 | 发明人 | 张薇薇;卞兴中;周振宇 |
| 分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 广东广和律师事务所 44298 | 代理人 | 董红海 |
| 主权项 | 一种高电源抑制比LDO电路，其特征在于采用电源噪声前馈通路和适用于该前馈通路的反向嵌套密勒补偿结构。 | ||
| 地址 | 518057 广东省深圳市南山区蛇口后海大道东角头厂房D22/F、D13/F、D23/F、D14/F、D24/F、D15/F | ||