发明名称 |
一种插入层复合结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种插入层复合结构及其制作方法,涉及宽禁带材料欧姆接触形成技术领域,解决了现有技术中欧姆接触电阻率测量可重复性差、器件稳定性不强以及在宽禁带半导体材料上欧姆接触形成难、欧姆接触电阻率高的问题。所述插入层复合结构位于SiC衬底与金属盖层之间,包括采用特殊材料形成的电流输运层和特定元素组分配比的欧姆接触金属层;所述电流输运层位于SiC衬底之上,所述欧姆接触金属层位于电流输运层之上;所述插入层复合结构由所述欧姆接触金属层通过合金退火方式形成的特定化学成分配比的碳化物和硅化物扩散进入所述电流输运层混合而成。本发明适用于在宽禁带半导体材料上同时形成P型和N型欧姆接触,或者单独形成P型或N型欧姆接触。 |
申请公布号 |
CN104393031A |
申请公布日期 |
2015.03.04 |
申请号 |
CN201410671215.6 |
申请日期 |
2014.11.21 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
汤益丹;申华军;白云;周静涛;杨成樾;刘新宇 |
分类号 |
H01L29/45(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/45(2006.01)I |
代理机构 |
北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 |
代理人 |
张瑾 |
主权项 |
一种插入层复合结构,其特征在于,所述插入层复合结构位于SiC衬底与金属盖层之间,包括采用特殊材料形成的电流输运层和特定元素组分配比的欧姆接触金属层;所述电流输运层位于SiC衬底之上,所述欧姆接触金属层位于电流输运层之上;所述插入层复合结构由所述欧姆接触金属层通过合金退火方式形成的特定化学成分配比的碳化物和硅化物扩散进入所述电流输运层混合而成。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |