发明名称 | 一种用以获得电阻转变存储器多转变模式的操作方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种用以获得电阻转变存储器多转变模式的操作方法,包括:选择器件;对选择的器件进行第一次电激励;以及对器件进行电学操作,获得电阻转变存储器多转变模式。利用本发明,通过选取基于金属导电细丝机制的电阻转变存储器件,通过调整第一次电激励过程中的限制电流的大小,从而实现后续不同的电阻转变模式,这种方法简单实用,并且可以在同一个器件中获得转变模式的改变,实现多转变模式操作,可以获得第一次电激励过程中限制电流对导电细丝通道影响的间接证据,对于深入理解金属细丝机制的电阻转变存储器的阻变机理具有深刻意义。 | ||
申请公布号 | CN104392746A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
申请号 | CN201410557784.8 | 申请日期 | 2014.10.20 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 孙海涛;刘琦;吕杭炳;龙世兵;刘明 |
分类号 | G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C13/00(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
主权项 | 一种用以获得电阻转变存储器多转变模式的操作方法,其特征在于,该方法包括:选择器件;对选择的器件进行第一次电激励;以及对器件进行电学操作,获得电阻转变存储器多转变模式。 | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |