| 发明名称 | 氮化物半导体器件的电极结构和氮化物半导体场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 根据该电极结构，源极电极(111)和漏极电极(112)以在绝缘膜(107)与氮化物半导体叠层体(105)的凹部(116、119)的开口边缘(116A、119A)之间与氮化物半导体叠层体(105)的表面接触的方式，从凹部(116、119)形成至绝缘膜(107)的表面(107C)上。根据这样的欧姆电极(111、112)的结构，与欧姆电极的端缘部被夹在氮化物半导体叠层体与绝缘膜之间的以往的电极结构相比，能够使与氮化物半导体叠层体(105)相邻的源极电极(111)和漏极电极(112)的端部的导通时的最大电场强度降低，能够提高导通耐压。 | ||
| 申请公布号 | CN104395994A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201380033935.3 | 申请日期 | 2013.06.26 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 藤田耕一郎 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体器件的电极结构，其特征在于，具备：氮化物半导体叠层体(105)，该氮化物半导体叠层体(105)具有异质界面并且具有从表面向所述异质界面凹陷的凹部(116、119)；绝缘膜(107)，该绝缘膜(107)形成在所述氮化物半导体叠层体(105)的表面(104A)上，并且与所述凹部(116、119)的开口边缘(116A、119A)沿所述氮化物半导体叠层体(105)的表面(104A)分离预先确定的距离；和欧姆电极(111、112)，该欧姆电极(111、112)以在所述绝缘膜(107)与所述凹部(116、119)的开口边缘(116A、119A)之间与所述氮化物半导体叠层体(105)的表面(104A)接触的方式，从所述氮化物半导体叠层体(105)的凹部(116、119)形成至所述绝缘膜(107)的表面(107C)上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||