检测读取速度受到干扰的方法和检测编程干扰的方法

摘要

本发明提供一种检测读取速度受到干扰的方法，同时选通至少三根连续位线，在读取存储单元的信息的同时，测量与被读取存储单元施加较低电压的位线相邻的位线的电压，计算流过与所述被读取存储单元共用施加低电压的位线的存储单元的泄露电流，通过比较所述泄露电流与预设电流值，可以检测被读取存储单元读取速度是否受到相邻的存储单元的干扰。相应地，本发明还提供了检测编程干扰的方法，可以检测与被编程存储单元相邻的存储单元中原有的信息是否受到干扰。

主权项

一种检测读取速度受到干扰的方法，其特征在于，包括：选通被读取存储单元的字线；选通存储阵列的至少三根连续位线，其中，在所述被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压，另一根位线施加第二读取电压，所述第二读取电压高于第一读取电压；测量与所述被读取存储单元施加第一读取电压的位线相邻的位线的电压；计算流过与所述被读取存储单元相邻的存储单元的泄露电流，所述相邻的存储单元与所述被读取存储单元共用施加第一读取电压的位线；判断所述泄露电流是否大于预设电流值，如果是，信息读取速度受到所述泄露电流干扰；如果否，信息读取速度不受所述泄露电流干扰；所述测量与所述被读取存储单元施加第一读取电压的位线相邻的位线的电压为：与NMOS晶体管栅极连接的高压产生器产生开启电压，所述开启电压开启NMOS晶体管；与所述NMOS晶体管源极连接的测试终端测量通过位线选通装置与所述NMOS晶体管漏极选通的位线的电压。