| 发明名称 | n型SiC单晶的制造方法、由此得到的n型SiC单晶及其应用 | ||
| 摘要 | 一种制造n型SiC单晶的方法，所述方法包括：在SiC单晶的晶体生长期间，添加用于获得n型半导体的施主元素氮、以及镓，使得以atm单位表示的氮量大于以atm单位表示的镓量；一种根据这种制造方法得到的n型SiC单晶；以及包括所述n型SiC单晶的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102325929B | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201080008632.2 | 申请日期 | 2010.02.18 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 关章宪;藤原靖幸 |
| 分类号 | H01L21/208(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B19/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/208(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 杨海荣;穆德骏 |
| 主权项 | 一种制造n型SiC单晶的方法，其特征在于包括：在SiC单晶的晶体生长期间，添加用于获得n型半导体的施主元素氮、以及镓，使得以原子％表示的氮量相对于SiC量的比例大于以原子％表示的镓量相对于SiC量的比例，其中所述氮量的比例为大于0且等于或小于1.0原子％，所述镓量的比例为大于0且等于或小于0.06原子％，且其中氮和镓的添加使得所述n型SiC单晶在80K至580K下的比电阻小于0.015Ωcm，其中所述n型SiC单晶的载流子浓度(n)是10<sup>19</sup>cm<sup>‑3</sup>的数量级，且其中所述n型SiC单晶是n型4H‑SiC单晶。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||