一种有机薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明揭示了一种制备有机薄膜晶体管的方法。有源层和绝缘层是由小分子半导体/绝缘聚合物交联膜组成，其中小分子半导体/绝缘聚合物交联膜是由小分子半导体材料在绝缘聚合物/溶剂体系中形成的一维互联网状纳米结构组成的。本发明所提供的有机薄膜晶体管具有可溶液化制备、柔性、高迁移率特征，同时本发明所提供的制备方法可实现晶体管有源层、绝缘层溶液化的简化制备，降低制备成本，因此在柔性、大面积、低成本有机薄膜晶体管的制备中具有重要的应用价值。

主权项

一种有机薄膜晶体管的制备方法，所述有机薄膜晶体管包括栅电极、源电极、漏电极、有源层以及绝缘层，其特征在于，所述有源层和绝缘层由小分子半导体/绝缘聚合物交联膜组成，小分子半导体/绝缘聚合物交联膜的制备方法包括：在有机溶剂中溶解小分子半导体材料和绝缘聚合物，形成小分子半导体/绝缘聚合物的混合溶液，其中，小分子半导体材料的浓度为0.05～6mg/ml，绝缘聚合物的浓度为0.1～10mg/ml；利用小分子半导体/绝缘聚合物的混合溶液制备小分子半导体/绝缘聚合物交联膜；对所述小分子半导体/绝缘聚合物交联膜进行退火处理，使小分子半导体材料在绝缘聚合物介质中形成一维线形结构，并发生垂直相分离形成网状薄膜；其中，所述小分子半导体/绝缘聚合物交联膜的厚度在100nm至5000nm之间；其中，所述交联膜的制备方法包括旋涂、滴膜、浸泡、辊涂、电纺丝、气溶胶喷印、喷墨印刷、凹版印刷或丝网印刷中的一种；其中，所述的小分子半导体材料为酞菁化合物、卟啉化合物中的一种或多种；其中，退火处理方式包括常温下的溶剂挥发、不同温度的热退火、低压退火、惰性气体氛围中退火及溶剂蒸汽中退火方法中的一种或多种；其中，所述的聚合物至少包括聚苯乙烯,聚а‑甲基苯乙烯，聚甲基丙烯酸甲酯,聚碳酸酯中的一种；其中，所述的有机溶剂包括二氯甲烷、间二甲苯、邻二甲苯、对二甲苯、对二氯苯、间二氯苯、邻二氯苯中的至少一种。