发明名称 凹陷半导体衬底
摘要 本公开内容的实施例提供一种装置,该装置包括:半导体衬底,具有第一表面,与第一表面相对设置的第二表面,其中第一表面的至少部分被凹陷以形成半导体衬底的凹陷区域,以及一个或者多个过孔,形成于半导体衬底的凹陷区域中以在半导体衬底的第一表面与第二表面之间提供电或者热通路;以及裸片,耦合到半导体衬底,该裸片电耦合到在半导体衬底的凹陷区域中形成的一个或者多个过孔。可以描述和/或要求保护其它实施例。
申请公布号 CN102687255B 申请公布日期 2015.03.04
申请号 CN201180005381.7 申请日期 2011.01.25
申请人 马维尔国际贸易有限公司 发明人 吴亚伯;陈若文;韩忠群;刘宪明;卫健群;常润滋;吴嘉洛;郑全成
分类号 H01L21/48(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I 主分类号 H01L21/48(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 酆迅;边海梅
主权项 一种装置,包括:半导体衬底,具有:第一表面,第二表面,与所述第一表面相对设置,其中所述第一表面的至少部分被凹陷以形成所述半导体衬底的凹陷区域,以及一个或者多个过孔,形成于所述半导体衬底的所述凹陷区域中以在所述半导体衬底的所述第一表面与所述第二表面之间提供电或者热通路;以及裸片,耦合到所述半导体衬底,所述裸片电耦合到在所述半导体衬底的所述凹陷区域中形成的所述一个或者多个过孔;其中:所述裸片耦合到所述半导体衬底的所述第二表面;所述裸片耦合到所述凹陷区域;并且所述裸片在倒装芯片配置中耦合到所述半导体衬底。
地址 巴巴多斯圣米加勒