一种波状基区和透明短路阳极的双芯GCT及制备方法

摘要

本发明公开了一种波状基区和透明短路阳极的双芯GCT，GCT-A与GCT-B部分在n-区向上设置相同；GCT-B部分n-区向下设置有n场阻止层，n场阻止层的下方并排设置有p+透明阳极区Ⅰ、n+短路区和p+透明阳极区Ⅱ，p+透明阳极区Ⅰ和p+透明阳极区Ⅱ的厚度小于中间的n+短路区，p+透明阳极区Ⅰ与GCT-A的p+透明阳极区邻接，p+透明阳极区Ⅰ、n+短路区和p+透明阳极区Ⅱ的下方均与GCT-A部分的p+透明阳极区的下方设置有共同的阳极铝电极A。本发明还公开了上述D-GCT的制备方法。本发明波状基区和透明短路阳极的双芯GCT结构，提高了GCT的电流容量，降低总损耗，省去对少子寿命的控制。

主权项

一种波状基区和透明短路阳极的双芯GCT，其特征在于：整个器件以n‑区为衬底，以器件上方隔离沟槽的中心线为轴将器件分为GCT‑A部分和GCT‑B部分，所述GCT‑A部分的结构是，包括位于主体的n‑区，n‑区向上设置有波状p‑基区，波状p‑基区上方设置有p+基区；该p+基区中间段上表面与波状p‑基区的波峰对应位置设置有n+阴极区，该n+阴极区上表面是阴极铝电极K；该n+阴极区两侧的p+基区上表面各设置有一个门极铝电极G₁；n‑区向下设置有n场阻止层，n场阻止层向下为p+透明阳极区；所述的GCT‑B部分结构是，包括位于主体的n‑区，n‑区向上设置有波状p‑基区，波状p‑基区上方设置有p+基区；该p+基区中间段上表面与波状p‑基区的波峰对应位置设置有n+阴极区，该n+阴极区上表面是阴极铝电极K；该n+阴极区两侧的p+基区上表面各设置有一个门极铝电极G₂；n‑区向下设置有n场阻止层，n场阻止层的下方并排设置有GCT‑B部分的p+透明阳极区Ⅰ、n+短路区和GCT‑B部分的p+透明阳极区Ⅱ，GCT‑B部分的p+透明阳极区Ⅰ和p+透明阳极区Ⅱ的厚度小于中间的n+短路区，GCT‑B部分的p+透明阳极区Ⅰ与GCT‑A的p+透明阳极区邻接，GCT‑B部分的p+透明阳极区Ⅰ、n+短路区和GCT‑B部分的p+透明阳极区Ⅱ的下方均与GCT‑A部分的p+透明阳极区的下方设置有共同的阳极铝电极A；所述隔离沟槽伸入p+基区，与p‑基区的一个波峰相接。