一种用于HIT太阳电池织构的处理技术

摘要

本发明公开了一种用于HIT太阳电池的织构平坦化处理技术，可以在单晶硅片表面形成金字塔状结构，能够有效降低硅片表面反射带来的光损失，提高短路电流，进而提高电池效率。对于HIT异质结太阳电池，由于对界面特性要求高，尖锐的金字塔结构和交界处的小金字塔会产生较多的界面态。本发明公开了一种用于HIT太阳电池织构的平坦化处理方法，包括单晶硅表面绒面的制备，以及对制备绒面后的单晶硅衬底进行平坦化腐蚀处理。还公开了平坦化腐蚀处理所采用的溶液组份、温度和腐蚀时间。为HIT太阳电池的制备提供界面良好的单晶硅衬底，有利于提高电池性能。

主权项

一种太阳电池单晶硅表面织构的平坦化处理方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)采用丙酮溶液对硅片进行超声清洗后去除硅片表面的有机污垢，并采用酒精对所述硅片进行超声清洗后去除所述硅片表面的丙酮；(2)采用氢氧化钠溶液对清洗后的硅片进行腐蚀处理，并去除硅片表面的机械损伤层；其中氢氧化钠溶液的浓度为5wt％～15wt％，腐蚀处理的温度为60℃～100℃，时间为80s～240s；(3)采用氢氧化钾和异丙醇的第一混合溶液对腐蚀处理过的单晶硅片进行织构化处理，获得表面成倒金字塔状结构的单晶硅片，其中织构化处理的温度为70℃～90℃，时间为15～30分钟；(4)采用氢氟酸、氢氟酸、乙酸、丙二醇和双氧水的第二混合溶液对织构后的单晶硅进行平坦化处理后，形成具有表面分布均匀且塔尖圆润金字塔结构的单晶硅片，其中平坦化处理的温度为10℃～40℃，时间为30s～70s。