发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本实用新型提供一种半导体装置,其用于抑制来自功率用半导体芯片的热对于控制用半导体元件的影响,且可靠性较高。本实用新型的半导体装置,其在具有散热部的绝缘板的主面上载置功率用半导体芯片和用于控制功率用半导体芯片的控制用半导体芯片,该半导体装置的特征在于,就具有散热部的绝缘板而言,功率用半导体芯片的下侧部的热传导率比控制用半导体芯片的下侧部的热传导率高。另外,具有散热部的绝缘板由树脂构成,功率用半导体芯片的下侧部的树脂厚度比控制用半导体芯片的下侧部的树脂厚度薄。具有散热部的绝缘板在功率用半导体芯片的下侧部载置金属部。 |
申请公布号 |
CN204189793U |
申请公布日期 |
2015.03.04 |
申请号 |
CN201420734462.1 |
申请日期 |
2014.11.28 |
申请人 |
三垦电气株式会社 |
发明人 |
下田一郎 |
分类号 |
H01L25/07(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/07(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;金玲 |
主权项 |
一种半导体装置,其在具有散热部的绝缘板的主面上载置功率用半导体芯片和用于控制功率用半导体芯片的控制用半导体芯片,该半导体装置的特征在于,就所述具有散热部的绝缘板而言,所述功率用半导体芯片的下侧部的热传导率比所述控制用半导体芯片的下侧部的热传导率高。 |
地址 |
日本埼玉县 |