| 发明名称 | InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有增强型器件制造工艺复杂和控制难度大以及晶体管阈值电压低的问题。该器件自下而上，包括衬底、AlN成核层、沟道层和AlN界面插入层，该插入层上设有势垒层和源漏区欧姆接触，势垒层上设有绝缘栅介质层，绝缘栅介质层上设有栅电极，源漏区欧姆接触上设有源、漏电极。该势垒层采用In<sub>0.17</sub>Al<sub>0.83</sub>N材料；沟道层采用Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N材料，且其Al组分x在5％-20％之间；绝缘栅介质层为通过氧化势垒层形成的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。本发明器件阈值电压高，制造工艺简单，可重复性高，可用于数字电路和高压功率开关等领域中的电子器件。 | ||
| 申请公布号 | CN104393039A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201410570899.0 | 申请日期 | 2014.10.23 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 薛军帅;李姚;郝跃;张进成 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人 | 王品华;朱卫星 |
| 主权项 | 一种InAlN/AlGaN增强型高电子迁移率晶体管，自下而上，包括衬底、AlN成核层、沟道层和AlN界面插入层，该插入层上设有势垒层和源漏区欧姆接触，势垒层上设有绝缘栅介质层，绝缘栅介质层上设有栅电极，源漏区欧姆接触上设有源、漏电极，其特征在于：势垒层，采用厚度为4‑13nm的In<sub>0.17</sub>Al<sub>0.83</sub>N材料；沟道层，采用Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N材料，且其Al组分x在5％‑20％之间，材料厚度在400nm‑1000nm之间；绝缘栅介质层，是通过氧化势垒层In<sub>0.17</sub>Al<sub>0.83</sub>N形成厚度为3‑10nm的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||