发明名称 一种用于HIT电池的N型硅片清洗制绒方法
摘要 本发明涉及一种用于HIT电池的N型硅片清洗制绒方法,它包括以下步骤:(1)采用I号清洗液预清洗,然后去离子水冲洗;(2)高浓度碱性液中反应去除损伤层,然后去离子水冲洗;(3)各向异性腐蚀液中进行制绒,然后去离子水冲洗;(4)RCA清洗,然后去离子水冲洗;(5)HF酸溶液中浸渍去除自然氧化层,然后去离子水冲洗N<sub>2</sub>吹干。该方法能够更有效的去除硅片表面损伤层,减少表面污染,增大硅片表面金字塔的尺寸,最终得到表面质量较好的N型硅片,在后续的a-Si:H钝化中能得到较好的钝化效果,从而有效的提高HIT电池的效率。
申请公布号 CN104393094A 申请公布日期 2015.03.04
申请号 CN201410499960.7 申请日期 2014.09.26
申请人 中国电子科技集团公司第四十八研究所 发明人 汪已琳;刘文峰;杨晓生
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人 马强;刘佳芳
主权项 一种用于HIT电池的N型硅片清洗制绒方法,其特征是,依次包括以下步骤:(1)预清洗:采用I号清洗液对N型硅片进行预清洗去除有机物和颗粒,清洗温度为70℃~85℃,清洗时间为5min~10min;其中I号清洗液为NH<sub>4</sub>OH、H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>和H<sub>2</sub>O的混合液,其NH<sub>4</sub>OH、H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>与H<sub>2</sub>O的体积比为1:(1~2.5):(4~7);预清洗完成后将N型硅片取出用去离子水冲洗;(2)损伤层去除:将N型硅片在高浓度碱性液中浸渍5min~10min去除损伤层,使得损伤层单面去除为18μm‑22μm;所述高浓度碱性液为质量浓度为15%~20%的KOH溶液;完成损伤层去除后将N型硅片取出用去离子水冲洗;(3)制绒:将N型硅片置入各向异性腐蚀液中进行制绒25min~35min,使得N型硅片表面形成尺寸为5μm~12μm的金字塔结构的绒面,同时尽可能降低硅片表面反射率;所述各向异性腐蚀液为KOH与异丙醇的混合液,混合液中KOH的质量浓度为1.5%~3%、异丙醇的体积浓度为5%~10%,所述混合液的温度为70℃~80℃;制绒完成后将N型硅片取出用去离子水冲洗;(4)RCA清洗:用I号清洗液和II号清洗液分别清洗N型硅片5min~10min,进一步去除N型硅片表面颗粒及金属杂质,以减少硅片表面的污染,其中I号清洗液成分如步骤(1)所述,II号清洗液为HCL、H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>和H<sub>2</sub>O的混合液,其HCL、H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>与H<sub>2</sub>O的体积比1:(1~2.5):(4~7),I号清洗液和II号清洗液的清洗温度均为70℃~85℃;RCA清洗完成后将N型硅片取出用去离子水冲洗;(5)自然氧化层去除:将N型硅片在HF酸溶液中浸渍10s~20s,以去除硅片表面的自然氧化层,HF酸溶液的体积浓度为1%~3%;自然氧化层去除完成后将N型硅片取出用去离子水冲洗,N<sub>2</sub>吹干。
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