IGBT模块用低离子含量单组份硅凝胶及其制备方法

摘要

本发明公开了一种IGBT模块用低离子含量单组份硅凝胶及其制备方法，所述硅凝胶由100重量份的乙烯基聚二甲基硅氧烷、0-50重量份的补强填料、1-20重量份的含氢硅油交联剂、0.001-0.05重量份的固化抑制剂和0.01-0.5重量份的铂络合物催化剂制备而成；所述制备方法为：按上述重量份将乙烯基聚二甲基硅氧烷、补强填料、含氢硅油交联剂、固化抑制剂和铂络合物依次加入搅拌机内混合均匀，在真空下脱除气泡，即可。本发明所制得的硅凝胶透明度高、离子含量低、粘接性能好，具有自修复能力，适用于IGBT模块等精密元器件的灌封保护。

主权项

一种IGBT模块用低离子含量单组份硅凝胶，其特征在于，所述硅凝胶由下述重量份的原料制备而成：所述乙烯基聚二甲基硅氧烷中Na⁺、Fe³⁺、K⁺含量小于10ppm，Cl^‑含量小于1ppm；所述补强填料中Na⁺、Fe³⁺、K⁺含量小于10ppm，Cl^‑含量小于1ppm；所述含氢硅油交联剂至少包含一种直链型端含氢硅油，所述含氢硅油交联剂的含氢量为1‑9mmol/g，Na⁺、Fe³⁺、K⁺含量小于10ppm，Cl^‑含量小于1ppm；所述固化抑制剂中的Na⁺、Fe³⁺、K⁺含量小于10ppm，Cl^‑含量小于1ppm；所述铂络合物催化剂中Na⁺、Fe³⁺、K⁺含量小于10ppm，Cl^‑含量小于1ppm。