| 发明名称 | 具有阶梯缓冲层结构的4H-SiC金属半导体场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有阶梯缓冲层结构的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极，栅电极与源极帽层之间形成凹陷栅源漂移区，栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏漂移区，P型缓冲层的上端面靠近源极帽层处设有凹槽，凹槽内靠近漏极帽层一侧设有两个台阶。本发明具有击穿电压稳定，输出漏极电流高的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN104393047A | 申请公布日期 | 2015.03.04 |
| 申请号 | CN201410587447.3 | 申请日期 | 2014.10.28 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 贾护军;张航;刑鼎 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人 | 郭官厚 |
| 主权项 | 一种具有阶梯缓冲层结构的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‐SiC半绝缘衬底(1)、P型缓冲层(2)、N型沟道层(3)，N型沟道层(3)的两侧分别为源极帽层(5)和漏极帽层(6)，源极帽层(5)和漏极帽层(6)表面分别是源电极(9)和漏电极(10)，N型沟道层(3)上方且靠近源极帽层(5)的一侧形成栅电极(4)，栅电极(4)与源极帽层(5)之间形成凹陷栅源漂移区(8)，栅电极(4)与漏极帽层(6)之间形成凹陷栅漏漂移区(7)，其特征在于：所述P型缓冲层(2)的上端面靠近源极帽层(5)处设有凹槽，凹槽内靠近漏极帽层(6)一侧设有两个台阶(11)。 | ||
| 地址 | 710071 陕西省西安市太白南路2号 | ||