发明名称 |
确定聚焦的方法、检查设备、图案形成装置、衬底以及器件制造方法 |
摘要 |
一种确定光刻设备的聚焦的方法具有以下步骤。使用光刻过程在衬底上形成第一和第二结构,第一结构包括具有轮廓的特征,所述轮廓具有依赖于聚焦和例如剂量或像差的曝光扰动的不对称度。第二结构包括具有轮廓的特征,所述第二结构的特征轮廓对聚焦的敏感度与第一结构不同且对曝光扰动的敏感度与第一结构不同。散射仪信号用于确定用于形成第一结构的聚焦值。这可以通过使用第二散射仪信号和/或曝光过程中使用的所记录的曝光扰动设置以选择在使用第一散射仪信号或使用具有与第一和第二散射仪信号相关的参数的模型确定聚焦值中使用的校准曲线来完成。 |
申请公布号 |
CN104395830A |
申请公布日期 |
2015.03.04 |
申请号 |
CN201380032940.2 |
申请日期 |
2013.06.03 |
申请人 |
ASML荷兰有限公司 |
发明人 |
P·海恩;王淑锦;C·李维斯;鲍国峰 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01)I;G03F1/44(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
张启程 |
主权项 |
一种确定在衬底上的光刻过程中使用的光刻设备的聚焦的方法,所述方法包括下述步骤:(a)接收包括通过使用光刻过程形成的第一结构的衬底;(b)在用辐射照射第一结构的同时检测散射辐射以获得第一散射仪信号;(c)基于具有至少一个特征的第一结构和基于用于形成第一结构的曝光扰动的信息,使用第一散射仪信号以确定用于形成第一结构的聚焦值,所述至少一个特征具有轮廓,所述轮廓具有依赖于光刻设备在衬底处的曝光扰动和聚焦的不对称度。 |
地址 |
荷兰维德霍温 |