具有温度补偿的自适应栅极驱动电路

摘要

本发明公开了一种可为MOSFET生成具有温度补偿的栅极偏置电压的自适应栅极驱动电路。该自适应栅极驱动电路可生成具有可变驱动能力的栅极偏置电压以对抗MOSFET在较高温度时较高的栅极漏泄电流。在一种设计中，一种装置包括控制电路和栅极驱动电路。该控制电路生成具有可变频率的至少一个控制信号，该可变频率是基于MOSFET的感测温度来确定的。例如，可基于MOSFET的感测温度来确定时钟分频比，可基于该时钟分频比对输入时钟信号进行分频以获得可变时钟信号，并且可基于该可变时钟信号来生成控制信号。栅极驱动电路基于该控制信号来生成用于MOSFET的偏置电压。

主权项

一种装置，包括：控制电路，配置成生成具有可变频率的至少一个控制信号，所述可变频率是基于耦合在电源电压与负载之间的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的感测温度来确定的；以及栅极驱动电路，配置成基于所述至少一个控制信号来生成用于所述MOSFET的偏置电压。