用于改进有机残余物去除的具有低铜蚀刻速率的水性清洁溶液

摘要

本文公开了用于从上面具有化学机械抛光(CMP)后残余物和污染物的微电子器件上清洁所述残余物和污染物的清洁组合物和工艺。所述清洁组合物包括至少一种季碱、至少一种胺、至少一种腐蚀抑制剂和至少一种溶剂。所述组合物实现了CMP后残余物和污染物材料从微电子器件表面上的高效清洁而同时与阻挡层相容。

主权项

一种从上面具有残余物和污染物的微电子器件去除所述残余物和污染物的方法，所述方法包括使所述微电子器件与清洁组合物接触足够长时间以从所述微电子器件至少部分地清洁所述残余物和污染物，其中所述清洁组合物包括至少一种季碱、至少一种胺、至少一种腐蚀抑制剂和至少一种溶剂，其中所述微电子器件包含降低铜向低k介电材料中的扩散的暴露的阻挡层。