光起電力セル及び製造方法

摘要

主要面を有する第一導電率タイプの半導体基材（１）と、基材（１）の主要面と接触している、第一導電率タイプのアモルファス半導体から製造された第一層（２）と、第一アモルファス層（２）の上に形成された第一電気的接点（３）と、基材（１）の主要面と接触している、第二導電率タイプのアモルファス半導体から製造された第二層（４）と、第二アモルファス層（４）の上に形成された第二電気的接点（５）と、電気的絶縁層（６）とを備える光起電力セルであって、電気的絶縁層（６）が、第一アモルファス層（２）の上に完全に形成され、第一及び第二の接点（３、５）が電気的絶縁層（６）の上に伸びている、光起電力セル。