| 摘要 |
本発明は、半導体製造の技術分野に関する。半導体装置の製造方法を開示する。本発明は、ＬＤＭＯＳドリフト領域における酸化層の端のシリコンが簡単に露光され、ＬＤＭＯＳ装置の絶縁破壊を引き起こす問題を解決する。半導体装置の製造方法は、ＬＤＭＯＳ領域およびＣＭＯＳ領域を含む半導体基板を用意するステップと、前記半導体基板上に犠牲酸化層を形成するステップと、前記犠牲酸化層を除去するステップと、前記犠牲酸化により処理された前記半導体基板上にマスク層を形成するステップと、前記マスク層をマスクとして用いてＬＳＭＯＳドリフト領域を形成し、前記ドリフト領域上にドリフト領域酸化膜を形成するステップと、マスク層を除去するステップと、を含む。本発明はＢＣＤ処理のような処理にも適用できる。【選択図】図６ |
