| 摘要 |
放射光放出半導体デバイスは、ｎ型ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む第１のベース領域、ｐ型ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を含む第２のベース領域、及び第１のベース領域と第２のベース領域との間に配置された多重量子井戸構造を含む。多重量子井戸構造は、少なくとも３つの量子井戸領域及び少なくとも２つのバリア領域を含む。量子井戸領域の３番目と量子井戸領域の２番目との間の正孔のエネルギー障壁は、量子井戸領域の２番目と量子井戸領域の１番目との間の正孔のエネルギー障壁よりも小さい。そうしたデバイスを形成する方法は、そうした多重量子井戸構造の層をエピタキシャル堆積させるステップ、並びに正孔のエネルギー障壁が多重量子井戸構造を横切って変化するように層の組成及び構成を選択するステップを含む。【選択図】 図１ |
