| 摘要 |
<p>透過率と膜強度が高く、光学用途に使用可能な炭化珪素薄膜を、短時間で、かつ安全に、しかも耐熱性の低い基板に対しても効率よく形成することができる成膜方法を提供する。本発明方法は、真空容器１１内で反応プロセス領域６０と成膜プロセス領域２０，４０とがそれぞれ空間的に分離して配置され、各領域２０，４０，６０での処理が独立して制御可能に構成された成膜装置１を用い、移動している基板Ｓ上に炭化珪素の薄膜を成膜する方法であって、まず、不活性ガスの雰囲気の下、領域２０で珪素ターゲット２９ａ，２９ｂをスパッタリングするとともに、領域４０で炭素ターゲット４９ａ，４９ｂをスパッタリングして、珪素と炭素を含む中間薄膜を基板Ｓ上に形成し、領域６０で不活性ガスと水素の混合ガスの雰囲気下で発生させたプラズマを中間薄膜に曝露し、超薄膜に膜変換させる。その後、中間薄膜の形成と超薄膜への膜変換を繰り返す。</p> |
