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经营范围
发明名称
晶片安装技术
摘要
申请公布号
TWI475621
申请公布日期
2015.03.01
申请号
TW096143013
申请日期
2007.11.14
申请人
剑桥矽晶片无线电有限公司
发明人
史黛西 塞门J.
分类号
H01L21/60
主分类号
H01L21/60
代理机构
代理人
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项
一种晶片,其包括一基板,该基板界定一或更多电子装置、以及一或更多焊接元件设置在该晶片之区域中并电连接至该一或更多电子装置,其中该晶片配设有位在该基板与该等焊接元件之间的二耐冲击性缓冲层、以及夹合在该等缓冲层之间俾电连接该一或更多焊接元件至该一或更多电子装置的一图案化传导层,该等缓冲层各具有1.6GPa至2.4GPa的杨氏模数(Young’s Modulus),其中,位在该基板与该图案化传导层之间的该缓冲层具有7至8微米的厚度。
地址
英国
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