| 主权项 |
一种发光装置，其包括：- 半导体结构，其包括- 第一半导体材料之第一本体，其系具有第一带隙的间接带隙材料，且其包括第一掺杂种类之第一区域；- 第二半导体材料之第二本体，其具有第二带隙且包括第二掺杂种类之第一区域；其中该第一带隙小于该第二带隙；- 接面区域，其包括形成于该第一本体与该第二本体之间的第一异质接面，及形成于该第一及第二掺杂种类之结构的个别邻近区域之间的第一pn接面；该第一pn接面位于该第一异质接面之一侧的第二本体中，且系藉由第二本体之第一掺杂种类的第二区域与该第一异质接面间隔开；- 偏压配置，其连接至该结构且并有包含第一pn接面之第一载子注入机制，且经配置以反向偏压该第一pn接面至崩溃模式并完全耗尽该第二本体之第二区域，以使第一极性之载子被注入至该第一本体中，以填充直接谷并于第一本体中造成载子之直接辐射复合，藉此导致光自第一本体发射；- 第二载子注入机制，其包含提供于第一异质接面之另一侧的第二pn接面；及其中该偏压配置亦经配置以正向偏压该第二pn接面以将
相反极性载子注入该第一本体中。
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