发明名称 |
具有垂直通道之半导体装置、包括该半导体装置之电阻式记忆体装置及制造该半导体装置之方法;SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING VERTICAL CHANNEL, RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
摘要 |
本发明系提供一种半导体装置、包括该半导体装置之电阻式记忆体装置,及制造该半导体装置之方法。该半导体装置包括一支柱,其实质上从一半导体基板垂直扩展,该支柱包括一内部部分及包围该内部部分之一外部部分。一接面区域在该垂直支柱之上方区域及下方区域形成,及一闸极包围该支柱。该支柱之内部部分包括一半导体层,其具有一晶格常数大于该支柱之外部部分的晶格常数。 |
申请公布号 |
TW201508963 |
申请公布日期 |
2015.03.01 |
申请号 |
TW102148063 |
申请日期 |
2013.12.24 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 SK HYNIX INC. |
发明人 |
朴南均 PARK, NAM KYUN |
分类号 |
H01L45/00(2006.01);H01L21/8239(2006.01) |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
赖安国王立成 |
主权项 |
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地址 |
南韩 KR |