发明名称 具有垂直通道之半导体装置、包括该半导体装置之电阻式记忆体装置及制造该半导体装置之方法;SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING VERTICAL CHANNEL, RESISTIVE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
摘要 本发明系提供一种半导体装置、包括该半导体装置之电阻式记忆体装置,及制造该半导体装置之方法。该半导体装置包括一支柱,其实质上从一半导体基板垂直扩展,该支柱包括一内部部分及包围该内部部分之一外部部分。一接面区域在该垂直支柱之上方区域及下方区域形成,及一闸极包围该支柱。该支柱之内部部分包括一半导体层,其具有一晶格常数大于该支柱之外部部分的晶格常数。
申请公布号 TW201508963 申请公布日期 2015.03.01
申请号 TW102148063 申请日期 2013.12.24
申请人 爱思开海力士有限公司 SK HYNIX INC. 发明人 朴南均 PARK, NAM KYUN
分类号 H01L45/00(2006.01);H01L21/8239(2006.01) 主分类号 H01L45/00(2006.01)
代理机构 代理人 赖安国王立成
主权项
地址 南韩 KR