半导体发光装置;SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

摘要

实施形态相关之半导体发光装置，具备：积层了第1导电型披覆层、活性层及第2导电型披覆层之第1半导体层；积层了第1导电型披覆层、活性层及第2导电型披覆层之第2半导体层；覆盖前述第1半导体层之侧面及下表面、及第2半导体层之侧面及下表面的单一之绝缘层；覆盖前述第1半导体层之上表面的第1萤光体层；以及覆盖前述第2半导体层之上表面的第2萤光体层。