热最佳化相变之记忆体单元及其制造之方法;THERMALLY OPTIMIZED PHASE CHANGE MEMORY CELLS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

摘要

本发明揭示一种热最佳化相变之记忆体单元，其包含安置于第一电极与第二电极之间的一相变材料元件。该第二电极包含具有高于该第一电极之一第一热阻率的一热绝缘区域及内插于该相变材料元件与该热绝缘区域之间的一金属接触区域，其中该金属接触层具有低于该第一热阻率之一第二热阻率。