紧密静电放电保护结构;COMPACT ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION STRUCTURE

摘要

本发明揭示一种紧密静电放电(ESD)保护结构，其包括：一多闸极肖特基空乏型场效应电晶体(FET)、至少一个二极体及两个电阻器。此ESD保护器件结构可系布设于比典型多个二极体ESD器件所需小之一区域中。该多闸极FET可包括各种类型之高电子迁移率电晶体(HEMT)器件，例如，(假晶)pHEMT、(变质)mHEMT、感应HEMT。该肖特基场效应器件之多个闸极系用于形成一ESD触发及电荷汲取路径，以用于依据该ESD保护器件之电路保护。单极性及双极性ESD保护器件两者皆可系提供于一积体电路晶粒上，用于保护其输入/输出电路。