非挥发性记忆体装置及其操作和制造方法;NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND FABRICATING METHODS THEREOF

摘要

本发明提供一种具有锯齿形主体配线的非挥发性记忆体装置。第一字元线和第二字元线设置在基底上，周期性地布置且在第一方向上延伸。第一多晶矽层间介电膜设置在基底上且分别位于第一字元线下方。第二多晶矽层间介电膜设置在基底上且分别位于第二字元线下方，其中第一多晶矽层间介电膜比第二多晶矽层间介电膜薄。浮置闸极设置在基底与第一多晶矽层间介电膜和第二多晶矽层间介电膜中的每一者之间。穿隧氧化物膜设置在基底与浮置闸极中的每一者之间。位元线设置在第一字元线和第二字元线上方，且沿着与第一方向不同的第二方向延伸。