发明名称 |
半导体结构及其制造方法;SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
摘要 |
一种半导体结构的制造方法包含下列步骤:提供晶圆结构,其中晶圆结构具有晶圆与覆盖晶圆的保护层。形成图案化的光阻层于晶圆相对保护层的表面上。蚀刻晶圆,使晶圆形成复数个通道,且保护层由通道露出。蚀刻保护层,使保护层形成对准通道的复数个开口。保护层中的复数个焊垫分别露出于开口与通道,且每一开口的口径朝对应的通道的方向逐渐增大。蚀刻晶圆环绕通道的复数个侧表面,使通道扩大而分别形成复数个镂空区。每一镂空区的口径朝对应的开口的方向逐渐减小,且每一开口的口径小于对应的镂空区的口径。 |
申请公布号 |
TW201508886 |
申请公布日期 |
2015.03.01 |
申请号 |
TW103122104 |
申请日期 |
2014.06.26 |
申请人 |
精材科技股份有限公司 XINTEC INC. |
发明人 |
简玮铭 CHIEN, WEIMING;林佳昇 LIN, CHIASHENG;刘沧宇 LIU, TSANGYU;何彦仕 HO, YENSHIH |
分类号 |
H01L23/488(2006.01);H01L21/60(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/488(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
蔡坤财李世章 |
主权项 |
|
地址 |
桃园市中坜区中坜工业区吉林路23号9楼 TW |